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1. 단파 정류 회로

  ▣ 단상 반파 정류회로는 다이오드 한개로 구성된 정류회로이다.

 

  ▣ 정류의 직류분은 평균값으로 나타내면 최대전압을 π로 나누어 산정한다.

 

단상반파 맥동률
단상전파
3상 반파
3상 전파
121%
48%
17%
4%

 

2. 단상 전파 정류회로

  ▣ 단상 전파 정류회로는 다이오드 2개로 구성된 정류회로이다.

 

  ▣ 직류분 전압은 다음과 같다.

 

  ▣ 다이오드 4개에 의한 단상 전파 정류회로는 첨두역전압만 √2 E로 다르다.

 

다. 3상 반파 정류회로 : Ed = 1.17 E

  라. 3상 전파 정류회로 : Ed = 1.35 E

3. 다이오드 정류 회로

  ▣ 먼저 다이오드의 성질에 대하여 알아 봅시다.

 

다이오드는 Anode와 Cathode 극을 갖는 반도체 소자이다.

anode극에 + 전류 0.7[V]이상이 걸리면 도통상태가 되고 그 이하 즉 (-) [V]가 걸리면 불통상태가 된다.

이러한 성질을 이용하여 교류전류를 직류 전류로 바꾸는 정류하는 소자로 이용한다.

다이오드는 0.7[V]에 도통되므로 0.7[V]의 전력손실이 발생하게 된다.

가. 단상반파 정류회로

  ▣ 단상반파 정류회로는 한개의 #다이오드 로 교류를 직류로 정류하는 회로이다.

 

다이오드 한 개로 정류를 하게 되면 다이오드의 anode극에 +전압(0.7)이상이 걸리면

다이오드에는 전류가 흐르고 그 이하의 전압이 걸리면 전류가 흐르지 않는다.

따라서 정현파 전류 한 주기(2π) 중에서 절반 (π)만 전류가 흐르게 된다.

반파 정류회로에는 맥동율(출렁거림 121[%]) 크기 때문에 이를 완화해 주기 위하여

콘덴서를 병렬로 연결하여 평활회로를 구성한다.

  ① 입력 전압 Vi = 100이라면 출력 직류 평균전압은 √2/π E , 즉 0.45 E이다.

       여기서 E는 실효값을 말한다.

  ② PIV ( #첨두역전압 ) : 역방향 전압을 말하며 cathode 극에 +, anode극에 - 전압이

      걸렸을 때 막아 주는 전압으로 원래 전압의 최대값(Max)이 된다. 따라서 첨두역전압은

      √2E가 된다. 즉, E는 실효값이고 첨두역전압(PIV)은 최대값이다.

나. 단상 전파 정류회로

  1) 다이오드가 2개인 경우

 

다이오드가 2개인 경우에는 전원선이 양쪽에 다이오드가 설치되어 모든 극성에서 전류가 흐르게 되므로 

모든 파형을 정류하게 된다.

  ① 입력전압 Vi = 100[V]를 걸어주면 출력은 50[V]로 떨어진다. 변압기의 2차측이 절반으로 줄어들기 때문이다.

       따라서 이를 해결하기 위하여 변압기의 권수비를 1 : 2로 하여 전압을 2배로 높여 준다.

  ② PIV(첨두역전압) : 권수비를 1 : 2로 하여 전압을 2배로 높여 주므로 첨두 역전압은 단상2선식의 2배가 되므로

      첨두역전압(PIV)은 2× √2 E가 된다.

2) 다이오드가 4개인 경우 (브릿지 회로)

 

  ▣ 다이오드가 4개인 단상 전파 정류회로는 브릿지를 이용하여 다이오드가 2개인 단상 전파 정류회로의 전압이 2배로

       높아지는 것을 해소하고 전파정류할 수 있도록 회로를 구성한다.

  ⊙ 첨두역전압(PIV)는 단상 반파정류회로와 마찬가지로 √2 E가 된다.

【정류회로 종합 정리】

 

   ※ 전압 E는 전압의 #실효값 을 의미한다.

   ※ 맥동률은 직류분 대비 교류분을 말하며 파형의 출렁거리림의 정도를 말한다.

       직류분은 Ed 즉 평균값을 말하며, 교류분은 전체파형에서 직류분을 뺀 나머지 부분이다.

 

   ※ 3상 다이오드 정류회로는 다음 그림과 같다.

 

4. 사이리스터on (SCR : Silicon Controlled Rectifier) 정류회로

 

사이리스터는 본래 PNPN접합의 4층구조 반도체 소자를 총칭하지만, 그 중에서도 SCR이라 불리는 역저지 3단자

     사이리스터(Reverse-Blocking Triode-Thyristor)를 말한다. SCR은 양극이 음극에 대하여 양전위일 때에만 Switch를

     ON하고, 반대로 양극이 음극에 대하여 음전위에 있을 때에는 역저지 상태를 나타낸다.

특수한 #반도체 (半導體) 정류 소자로서, 소형이고 응답 속도가 빠르며, 대전력(大電力)을 미소한 압력으로 제어할 수

있을 뿐 아니라 수명이 반영구적이고 단단하므로 릴레이 장치, 조명 ‧ 조광 (調光) 장치, 인버터, 펄스 회로 등 대전력의

제어용으로 사용된다. 트랜지스터로는 할 수 없는 대전류, 고전압의 스위칭 소자(素子)로서 급속히 보급되었다.

SCR의 주 전극은 #캐소드 (Cathode : K)와 #애노드 (Anode : A)이다.

 

 

【 출제 예상 문제 】

1. 60 [Hz]의 3상 전압을 전파정류하면 맥동 주파수는 ? ③

   ① 120 [HZ]              ② 240 [HZ]              ③ 360 [HZ]                  ④ 720 [HZ]

[해설] 맥동률 · 맥동주파수(60[Hz) 기준)

구 분
맥동률
맥동주파수
단상 반파
1.21
60 [HZ]
단상 전파
0.482
120 [HZ]
3상 반파
0.183
180 [HZ]
3상 전파
0.042
360 [HZ]

2. 전압 변동률이 10[%]인 정류회로에서 무부하 전압이 24[V]인 경우 부하시 전압은 몇 [V] 인가 ? ③

  ① 19.2 [V]              ② 20.3 [V]               ③ 21.6 [V]                   ④ 22.6[V]

[해설] #전압변동률

3. 단상 반파 정류회로에서 입력에 교류 실효값 100[V]를 정류하면 직류 평균전압은 약 몇 [V]인가 ?

     (단, 정류기의 전압강하는 무시한다) ①

    ① 45               ②50                   ③ 57                      ④ 68

[해설] 직류 평균 전압 : Eav = 0.45E = 0.45 × 100 = 45 [V]

4. 맥동률이 가장 적은 정류방식은 ? ④

  ① 단상 반파식          ② 단상 전파식                ③3상 반파식                 ④ 3상 전파식

[해설] #맥동률 · #맥동주파수 (60[Hz])

구 분
맥동률
맥동주파수
단상 반파
1.21
60 [HZ]
단상 전파
0.482
120 [HZ]
3상 반파
0.183
180 [HZ]
3상 전파
0.042
360 [HZ]

5. 그림과 같은 반파정류회로에 스위치 A를 사용하여 부하저항 RL 을 떼었냈을 경우 콘덴서 C의 #충전전압 은 몇 V가

    되겠는가 ? ④

 

     ① 12 π                 ② 24 π                         ③ 12√2                     ④ 24√2

[해설] #반파정류파 : #최대값 은 Vm = √2 V

▣ 전압의 최대치가 #콘덴서 에 충전된 상태이므로 콘덴서의 충전전압 Vm = √2 V  = 24√2 [V]

6. 2차 전압이 220 [V]인 옥내 변전소에서 스프링클러 설비의 수신반에 전기를 공급하고 있다. #스프링클러 #수신반

    수전전압이 216[V]인 경우 변전소에서 수신반까지의 전압 강하율은 몇 [%]인가 ? ④

   ① 1.74                       ② 1.79                     ③ 1.82                          ④ 1.85

[해설] #전압강하율

7. 그림과 같은 #정류회로 에서 부하 R에 흐르는 직류전류의 크기는 약 몇 [A]인가 ? (단, V = 200[V], R=20√2 [Ω]이다.) ①

 

    ① 3.2                    ② 3.8                        ③ 4.4                       ④ 5.2

[해설] #직류 #전류

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1. 다이오드

  ▣ 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체를 하나의 반도체에 결합한 구조로 2개의 전극을 가진 소자이다.

 

p-n 접합 다이오드는 보통 규소로 만들어지지만, 저마늄이나 갈륨-비소가 사용되기도 한다. 첨가해 주는 불순물의 종류에 따라 음전하 운반체(전자)를 갖고 n-형 반도체 특징을 보이는 영역이 생기기도 하며, 양전하 운반체(정공)를 갖고 p-형 반도체 특징을 보이는 영역이 생기기도 한다. 이러한 n-형과 p-형 반도체가 접합되면 처음에는 n-형에서 p-형 쪽으로 전자가 순간적으로 흐르게 되고 그 결과 전하 캐리어가 존재하지 않는 제3영역이 생기게 되는데 이 영역을 결핍 영역(depletion region)이라고 한다.

p-n 접합이라 불리는 두 영역 사이의 경계에서는 다이오드의 작용이 일어난다. 매우 높은 전위차가 n-형과 p-형 반도체 사이에 존재하게 되면, n-형 반도체에서 p-형 반도체 쪽으로 핍 영역을 지나 전자가 흐르게 한다. 이러한 접합은 전위차가 역방향으로 가해져서 전자가 반대 방향으로 흐르는 것은 방지할 수 있기에 전기 체크 밸브(electrical check valve)라고도 할 수 있다.

 

  ▣ 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하여 만든다. 다이오드는 전류의 흐름을 제어하는 밸브역할을 한다.     

      A(Anode)는 양극, K(Kathode) 음극이다.

 

  ① 반도체 기본소자 : 실리콘 (Si)

 

 ▣ P형 반도체는 4가 반도체에 3가 불순물을 주입하여 만들고 N형 반도체에는 4가 반도체에 5가 불순물을 주입하여

       만든다.

 

     순바이어스 : 전위장벽 낮아진다. 공간 전하 영역이 좁다.

     역바이어스 : 전위 장벽이 높아진다. 공간 전하영역이 넓어진다.

 

  ② 다이오드 접속

 

2. 다이오드 종류

 

가. 정류용 #다이오드

  ① 순방향 전압시 저항 "0", 역방향 전압시 저항 "∞"

  ② 정류 특성

      ㉠ #컨버터 (converter) : 교류를 직류로 변환

      ㉡ #인버터 (Inverter) : 직류를 교류로 변환

      ㉢ 부(-) 저항 특성을 가지지 않는다.

 나. 발광 다이오드 (LED)

   ① 응답속도가 매우 빠르다.

   ② PN접합에 순방향 전류를 흘려서 발광시킨다.

   ③ 전구에 비해 수명이 길고 진동에 강하다.

   ④ 발열이 작다.

   ⑤ 재질 : 비소화갈륨 (GaAs), 인화갈륨(GaP)

3. 트랜지스터 (TR)

  ▣ 트랜지스터는 전류를 증폭할 수 있는 부품이고 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류를 조절할 수 있다.

       또한 스위치 역할을 한다.

   ⊙ 트랜지스터는 NPN, PNP 두종류가 있다.

   ⊙ 베이스에 전압이 가해지면 이미터, 컬럭터 사이에 도통된다. ⇒ 스위치 역할, 증폭 역할

 

가. 트랜지스터의 특성 및 구성

  ① 베이스 전류에 따라 컬렉터 전류가 흐르거나 흐르지 않기도 하는 스위칭 작용을 한다.

  ② 약간의 베이스 전류로 큰 컬렉터 전류를 얻을 수 있는 증폭 특성을 가진다.

  ③ 고온에 약하다.

  ④ #베이스 (B), #이미터 (E), #컬렉터 (C)의 3개의 다리로 구성된다.

나. 초고주파용 트랜지스터의 구비조건

   ① 컬렉터 전압이 커야 한다.

   ② 컬렉터 전류가 커야 한다.

   ③ 이미터 접합 면적이 작아야 한다.

   ④ 베이스 두께가 매우 얇아야 한다.

다. FET (전계효과 트랜지스터)의 특성

   ① 집적도가 높다.

   ② 입력저항이 매우 크다.

   ③ 이득대역폭이 작다.

   ④ 소비전력이 작다.

   ⑤ 동작속도가 느리다.

   ⑥ 소자특성이 단극성 소자이다.

라. 확산형 #트랜지스터

   ① 불활성 가스 속에서 확산시킨다.

   ② 단일 확산형과 2중 확산형이 있다.

   ③ 베이스 내에서 확산시킨다.

   ④ 기체반도체가 용해하는 것보다 낮은 온도에서 불순물을 확산시킨다.

마. #MOSFET (금속 산화막 전계효과 트랜지스터)의 특성

   ① 산화 절연막을 가지고 있어서 큰 입력저항을 가지고 게이트 전류가 거의 흐르지 않는다.

   ② 2차 항복이 없다.

   ③ 안정적이다.

   ④ 열 폭주현상을 보이지 않는다.

   ⑤ 소전력으로 작동한다.

바. 각 단자의 전류

  ① 전류 증폭률

        여기서, β : 베이스 전류와 컬렉터 전류 사이의 비율 (이미터 접지 전류증폭정수)

                     α : 이미터로 주입되어 캐리어가 컬렉터에 도달하는 비율 (베이스 접지 전류증폭정수)

  ② α와 β의 관계

5. 기타 반도체

 

가. SCR의 특징

   ① PnPn의 4층 구조로 되어 있다.

   ② OFF 상태의 저항은 매우 높다.

   ③ 특성곡선에 부저항 부분이 있다.

   ④ 게이트 전류를 바꿈으로써 출력전압을 조정할 수 있다.

   ⑤ 스위칭 소자이다.

   ⑥ 직류 및 교류의 전력 제어용으로 사용된다.

   ⑦ 단방향성 #사이리스터 이다.

   ⑧ 게이트 전류에 의하여 방전개시전압을 제어할 수 있다.

   ⑨ 도통 상태에 있는 SCR을 차단하는 방법

       ㉠ 전압의 극성을 바꾸어 준다.

       ㉡ 양극전압을 부(-)로 바꾼다.

       ㉢ 음극전압을 양(+)로 바꾼다.

   ※ #래칭전류 (Latching Current)

      ▣ #트리거 신호가 제거된 직후에 사이리스터를 ON 상태로 유지하는데 필요로 하는 최소한의 주전류

   ※ 유지전류 : SCR이 ON된 후에 ON 상태를 유지하는데 필요한 최소 전류

나. #서미스터 (Thermistor)

   ① 부(-) #저항온도계수 (NTC)의 특성 : 온도 증가시 저항 감소

   ② 열을 감지하는 #감열저항체 소자

   ③ 온도 보상용, 온도계측용(온도계), 온도보정용

다. #바리스터(Varister) : 가변 용량 소자

   ① 전압에 따라 저항값이 비직선적으로 변화하는 저항 소자

   ② 회로를 병렬로 연결하여 사용

   ③ 서지전압으로 부터 기기 보호

   ④ 계전기 접점의 불꽃 제거

라. #집적회로 (IC)

  ▣ 하나의 칩(조각) 속에 트랜지스터와 다이오드, 저항 등의 소자를 내장한 것

    ① 대량생산

    ② 신뢰도 향상

    ③ 전자기기의 소형, 경량화

    ④ 빠른 동작속도

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