【 저항 R (Resistance) 】
가. 전기저항
▣ 원인
⊙ 물질의 원자 배열 : 원자의 배열이 질서있게 배열되어 있는지 아니면 촘촘하면서도
불규칙하게 배열되어 있는지에 따라 저항값이 달라진다.
⊙ 전자의 충돌 : 고유저항의 원인은 전자의 충돌이다. 전기흐름 즉 전류는 전자의 이동인데
이동하는 전자가 서로 충돌하게 되면 원활히 전류가 흐를 수 없게 된다.
⊙ 도체의 종류, 굵기 길이에 따라 따름 : 물질의 형상에 따라 전류흐름에 영향을 주게 된다.
도체가 굵을 수록 저항이 작고 길이가 짧을 수록 저항은 작아진다.
▣ 고유저항 (ρ)
⊙ 각각의 물질마다 갖는 고유의 저항값
※ 고유저항은 각 물질이 갖는 저항값으로 물질의 원자배열과 원자배열에 따른 전자의 충돌로
각 물질이 갖는 고유의 저항값을 말한다. 일반적으로 저항하면 고유저항을 말한다.
▣ R ∝ ℓ, R ∝ 1/ A (단면적)
⊙ 물질의 형태에 따른 저항값의 변화를 말하는 것으로 같은 도체라도 길이는 저항에 비례하고
도체의 단면적은 저항에 반비례하게 된다. 즉 도체의 단면적이 넓을 수록, 도체의 길이가
짧을 수록 저항은 작아진다.
▣ 저항 표기 : R (Resistance), 단위 : Ω
⊙ 저항은 기본적으로 고유저항값으로 표기하며 이 고유저항값이 물질의 형상에 따라
달라지게 되는데 위에서 말한 바와 같이 저항은 길이에 비례하고 도체의 단면적에는
반비례하게 된다.
▣ 고유저항(ρ) : 어떤 물질이 단면적 1[㎡], 길이 1[m]에서 갖는 저항값
⊙ 일반적으로 전기의 단위는 m를 기준으로 하게 되는데 도체의 굵기를 m 단위로 하면
실제 사용하는 현실과는 다르게 된다. 전선의 굵기가 ㎡인 것은 현실에서는 존재하지
아니하므로 단위를 변환할 필요가 있다. 일반적으로 전선의 굵기는 ㎟를 기준으로
사용하므로 전선의 저항은 ㎟를 기준으로 변환하게 된다. 1[m] = 1000[㎜] 이므로
1[㎡] = 1,000,000[㎟] 가 된다.
나. 컨덕턴스
▣ 컨덕턴스 : 전류를 잘 흐르게 하는 성분
⊙ 단위 : Mho, S [지멘스]
⊙ 병렬회로를 쉽게 해석하기 위하여 고안한 것이다.
⊙ 도전율 (전도율)
[%도전율]
▣ 연동선의 도전율을 100으로 정하고 비교한 %값
⊙ % 도전율은 연동선을 기준으로 각각의 도체의 전류의 흐름을 비교한 값이다.
즉, 연동선의 고유저항값을 100으로 하고 이를 기준으로 하여 각각의 저항값을
비교하여 산정한 값이다.
▣ 경동선 (Cu+Sn) : %C = 95
※ 경동선의 %저항율은 95%이므로 이를 연동선의 고유저항에 적용하여 풀이하면
경동선의 고유저항을 산정할 수 있다.
▣ 알루미늄선 (Al) : %C = 61
※ 알루미늄의 %저항율은 61%이므로 이를 연동선의 고유저항에 대입하면 알루미늄선의
고유저항을 산정할 수 있다.
다. 오옴의 법칙
▣ 오옴의 법칙은 전압과 전류, 저항은 상호관계를 나타낸다.
⊙ 전압은 전류와 저항의 곱으로 나타낸다. V = I · R
⊙ 전류는 전압에 비례하고 저항에 반비례한다. I = V/R
⊙ 저항은 전압에 비례하고 전류에 반비례한다. R = V/I
⊙ 오옴의 법칙은 폐회로내의 전압, 전류, 저항의 관계를 나타내는 기본식이다.
전류는 전압에 비례하고 저항도 전압에 비례한다. 저항과 전류와는 반비례 관계에 있다.
※ 오옴의 법칙은 수식으로 산정할 수 있지만
이를 쉽게 수식을 연상하기 위해 아래 그림을 연상하면 좋다.
※ 오옴의 법칙을 생각할 때, 원하는 기호를 구하고 싶으면
해당 기호를 가리면 해당 기호의 수식을 산정할 수 있다.
전압 V를 구하고 싶으면 전압 V를 가리면 I와 R만 남는다.
I와 R은 나란히 있으므로 I × R을 하면 된다.
전류 I를 구하고 싶으면 I를 가리면 V와 R만 남게 되고
V와 R사이에는 가로선이 있으므로 V/R이 된다.
마지막으로 저항 R을 구하고 싶으면 R을 가리면
V와 I만 남게 되고 V와 I사이에는 가로선이 있다.
따라서 R은 V/I로 구하면 된다.
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